国博电子2024年半年度董事会经营评述

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。

　　国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。

　　T/R组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成，每个辐射器后端均连接一个单独有源相控阵T/R组件，在波束形成器的控制下，对信号幅度和相位进行加权控制，最终实现波束在空间的扫描。因此，有源相控阵T/R组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨率、接收灵敏度等关键参数。此外，有源相控阵雷达需要数量众多的T/R组件共同构成有源相控阵阵面，有源相控阵T/R组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和功耗。

　　根据雷达的不同工作环境和不同的性能要求，有源相控阵T/R组件的构成形式不尽相同，但其基本结构一致，主要由数控移相器、数控衰减器、功率放大器、低噪声放大器、限幅器、环形器以及相应的控制电路、电源调制电路组成。

　　在射频模块领域，国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站等领域。

　　大功率控制模块是大功率移动通信系统信号发射和接收时信号控制的一个重要器件，对系统的性能有直接影响，通常位于通信系统的最前端，用于实现信号收发间的切换。大功率放大模块的功能是实现基站发射链路的信号功率放大，与功率控制模块共同组成了基站发射链路射频的最前端。大功率放大模块对整个基站发射信号质量、效率、功耗等一系列性能产生决定性的影响，是基站射频系统中关键的射频器件。

　　GaN射频模块产品，目前主要应用于国内5G通信基站，主要特性为大带宽，高效率，高线性度，高功率，产品功率覆盖100W-600W，主流通信频段均有批量应用。产品以金属陶瓷封装为主，塑封功放模组也形成批量产品，应用于U6G频段的通信应用。

　　公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，简称LNA）和功率放大器（Power Amplifier，简称PA）。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大，处于接收链路的前端，低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大，是无线通信设备射频的核心组成部分，影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。

　　公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减，通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值，能够保证信号处在合适的电平上，从而防止发生过载、增益压缩和失真。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，具备满足不同平台、不同需求的提供射频系统集成解决方案的能力，拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。

　　T/R组件和射频模块领域，公司主要负责芯片设计，组件和模块的设计、制造以及测试，芯片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成。射频芯片领域，公司采用Fabless模式负责射频芯片的设计和质量把控，芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。

　　公司建立了完备的采购控制程序和质量管理体系，建立了合格供应商名录；公司建立了较为完善的营销体系，与主要客户建立了稳定的合作关系，积极跟踪客户需求，依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012年10月修订），国博电子有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（分类代码C39），射频芯片所处行业为“软件和信息技术服务业”（分类代码I65）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”，射频芯片所处行业为“I65软件和信息技术服务业”。

　　集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。从信号分类上来看，集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路，其中模拟集成电路用于处理模拟信号（如温度、声音），数字集成电路用于处理数字信号（如0、1），与数字集成电路相比，模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。模拟集成电路的下游市场应用非常广泛，广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

　　报告期内，国博电子是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，产品均属于模拟集成电路，核心技术达到国内领先、国际先进水平。公司紧密结合国家战略新兴产业政策导向和市场需求，坚持创新驱动、产融结合发展道路，建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖芯片、模块、组件。芯片和模块方面，公司立足于国内移动通信市场，依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验，形成了系列化的射频集成电路产品，是国内移动通信基站射频器件核心供应商。同时，公司积极开拓终端领域，多款终端用射频芯片产品已经开始向业内知名终端厂商批量供货。组件方面，公司研制了数百款有源相控阵T/R组件，产品市场占有率保持国内领先地位，除整机用户内部配套外，是国内面向各整机单位销量最大的有源相控阵T/R组件平台。

　　国博电子具备T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台，积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项。公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司积极推进射频组件设计数字化转型，重点围绕W波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域，持续开展相关关键技术攻关，积极推进异构集成技术产品化技术，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。

　　国博电子推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司推进技术升级，产品功率密度，效率，增益等特性不断迭代提升，持续保障产品的性能竞争力。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。

　　在移动通信基站和终端领域。国博电子开发完成WiFi、手机PA等射频放大类芯片产品，性能达到国内先进水平，同时正在进行基于新型半导体工艺的新产品研发；在射频控制类芯片方面，公司应用于终端的射频开关、天线调谐器产品量产，多个射频开关被客户引入并批量交付，DiFEM相关芯片量产交付，产品性能达到国内先进水平。公司基站射频芯片开发紧跟市场需求，针对5G-A通感基站应用，进行产品的性能优化，产品规格达到国际领先水平。

　　公司已开展卫星通信领域多个射频集成电路的技术研发和产品开发工作，多款产品已被客户引入。多款射频集成电路已应用于5.5G通感一体基站中。应用于基站新一代智能天线的高线性件业务批量供货，并针对5.5G通信的发展需求持续进行产品迭发和新产品研发。应用于无人机的射频前端模组批量出货，下一代高性能射频前端模组已完成样品研制工作。公司将持续加大研发投入，不断提升产品的性能和质量以满足市场需求。同时，公司也将密切关注行业的最新动态和技术趋势，及时调整公司的战略方向，确保我们在市场竞争中保持竞争优势。

　　报告期内，公司申请发明专利3项，申请实用新型专利2项；取得发明专利授权12项，实用新型专利授权4项，集成电路设计布图专有权4项。截至报告期末，公司累计获得各类知识产权177项，其中发明专利55项，实用新型专利37项，软件著作权9项，集成电路设计布图专有权76项。

　　2024年上半年，面对外部环境的压力，公司以国家战略和市场需求为导向，始终聚焦主营业务发展和核心技术创新，持续推进技术创新，提升满足不同应用、不同需求的能力；持续推进资源优化、流程优化，提高管理效率和经营效益。报告期内，公司实现营业收入130,261.24万元，较上年同期减少32.21%；归属于上市公司股东的净利润24,455.61万元，较上年同期减少20.77%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,779.45万元，较上年同期减少16.75%。具体情况如下：

　　T/R组件领域，公司积极推进射频组件设计数字化转型，重点围绕W波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域，持续开展相关关键技术攻关，积极推进异构集成技术产品化技术，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。

　　射频模块领域，上半年发布多款GaN射频模块产品。新技术持续攻关，改善产品的线性度、效率等性能。预计下半年新一代的产品开发及应用，器件综合竞争力进一步提升。

　　射频芯片领域，2024年，5G基站市场整体保持平稳，5G-A通感基站试点带动基站射频芯片销售增长。面对存量市场的激烈竞争环境，公司积极推进新产品研发和新领域的拓展。新产品方面，公司为下一代基站平台新研数款物料稳步推进中。终端射频芯片产品持续稳定交付，系列化新产品研发稳步推进，积极推进基于新型半导体工艺的产品开发工作，拓展公司终端射频芯片品类。新领域和新客户方面积极推进ODU及卫星通信芯片开发推广，部分产品已进入客户认证阶段。三、风险因素

　　国博电子主要从事模拟集成电路领域的技术研发和产品制造，属于资金密集型、技术密集型行业，公司在研发过程中需要投入大量的人力及资金。如果未来公司不能继续保持对研发支出的高投入、抓住技术发展趋势及下游需求的变化、不断吸引专业领域的优秀人才，公司可能会面临技术滞后，对行业发展趋势及下游客户需求的判断发生偏差的情况，导致新产品偏离市场需求，进而影响公司未来发展的持续性和稳定性。

　　经过多年技术创新与经验积累，公司在化合物半导体等核心技术方面取得突破，上述核心技术构成了公司的核心竞争力。随着市场的变化，存在因核心技术人员流失或工作失误，导致核心技术泄露的风险，若同行业竞争企业获悉公司核心技术，将对公司的生产经营和发展产生不利影响。

　　公司的核心技术人员是公司持续保持技术优势、市场竞争力和提升发展潜力的保障。随着射频电子的应用领域和市场需求不断增长，对技术人才需求较高，随着行业竞争的日益激烈，企业与地区之间高端人才竞争也逐渐加剧，公司现有人才也存在流失的风险。如果公司不能为核心技术人员提供优秀的研发条件、具有前景的发展平台及有竞争力的薪酬，可能面临核心技术人员流失的风险，进而对公司的持续经营能力产生不利影响。

　　公司主要产品包括有源相控阵T/R组件和系列化射频集成电路产品，专用市场对产品的稳定性、安全性要求较高，因此行业进入壁垒较高，行业内竞争者数量较少，但随着国家产业政策的实施，未来更多社会资源进入该领域，市场竞争将更加充分。通用市场领域关注产品性能与成本，Skyworks、Qorvo、住友等国外企业规模较大，并持续保持了较高的研发投入，在技术等方面领先，公司面临的竞争压力较大，上述情况或将加剧公司面临的市场竞争风险。

　　公司有源相控阵T/R组件和射频模块产品主要采取设计+制造+测试的经营模式，射频芯片产品主要采取Fabless模式。芯片的制造、封装测试工序一般由外协厂商负责，外协加工厂商按照公司的设计图纸及具体要求进行部分工序的作业。采用外协加工的模式有利于公司将资源投入到核心工序、核心技术研究和产品研发中去，增强核心竞争力。但是公司存在因外协厂商生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。此外，晶圆制造为资本及技术密集型产业，其集中度较高是行业普遍现象。如果上述供应商发生不可抗力的突发事件，或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素，晶圆代工产能可能无法满足需求，将对公司经营业绩产生一定的不利影响。

　　公司生产销售的T/R组件主要用于有源相控阵T/R组件，主要用户为各科研院所和总体单位等专用产品客户。根据我国相关管理制度和规则，该类产品的销售价格应经过审价后最终确定。由于审价的周期较长，对于尚未完成审价的产品，公司在符合收入确认条件时按照暂定价确认收入，待价格审定后签订补价协议或取得补价通知单时确认价格差异。由于审价周期和最终审定价格均存在不确定性，受此影响，尚未审定价格的产品存在未来年度集中确认价差进而对公司盈利构成影响的风险。

　　公司生产依赖于多种原材料，包括各种芯片、电子元件等，原材料成本是公司营业成本的主要构成部分。虽然公司经过多年的生产经营已经建立相对完善的供应商管理体系，但如果未来原材料价格出现大幅波动，则可能造成公司经营业绩出现相应波动。同时，公司的一些重要基础原材料如芯片等上业呈现集中度较高的市场格局，使公司在采购该等原材料时供应商集中度也相对较高。同时，由于国际及其他不可抗力等因素，原材料供应可能会出现限制供应、延迟交货或提高价格的情况。如果出现不能及时获得足够的原材料供应或者需高于正常价格获取原材料的情况，公司的正常生产经营可能会受到不利影响。

　　公司的客户相对集中，主要为各科研院所或整机单位、国内主流移动通信设备制造商。如果未来公司主要客户的采购、经营战略发生较大变化，或主要客户资信情况发生重大不利变化，或因公司提供的产品质量问题与客户发生纠纷，或者因技术原因等因素无法满足客户的需求，则公司经营业绩将面临下降或增速放缓的风险。

　　整机单位T/R组件采购模式包括对外采购和内部配套两种模式。整机厂商基于专业化分工的角度考虑，通常聚焦于整机的实现，采用外购专业化公司T/R组件产品的模式。部分整机厂商自建了T/R组件生产研制平台，实现了T/R组件的内部配套。如果未来采取对外采购的整机单位变更为内部配套模式，则会对公司T/R组件业务的经营造成影响，进而影响公司整体经营业绩。

　　公司高度重视产品质量控制，自设立以来未出现重大质量纠纷。公司射频芯片业务主要采用Fabless模式，由于生产周期较长影响，如因产品设计缺陷或第三方生产工艺控制不当导致产品缺陷，将有可能导致大量的产品报废或市场召回，由此给公司经营带来风险。公司有源相控阵T/R组件业务主要客户为各科研院所或整机单位，对产品质量和可靠性要求较高，尽管公司在生产经营过程中高度重视产品质量控制，仍可能出现质量未达标准的情况，这将对公司的品牌声誉和经营业绩造成不利影响。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，技术要求高、生产环节多、生产周期长，同时公司为能够及时满足客户需求，需备有一定的生产库存；另外，公司部分发出商品需待客户签收或验收合格后方能确认收入，上述业务特点决定了公司具有存货余额高的运营特点。如果未来公司产品出现滞销、验收较慢或者大幅降价等情况，可能会导致公司存货积压并给公司带来较大资金压力，并面临存货跌价风险，从而对公司的经营业绩造成不利影响。

　　公司报告期末经营性应收款项余额较大主要系有源相控阵T/R组件客户结算方式导致，有源相控阵T/R组件客户一般按照背靠背的方式进行结算，即下游客户回款后向上游供应商进行结算。如果部分客户出现支付困难或者长期拖欠款项，将对公司产生不利影响。

　　公司有源相控阵T/R组件业务验收及付款周期较长，部分客户一般采取背靠背的方式进行结算，造成公司销售货款结算周期较长。收款周期较长，而原材料、人工等付款周期较短，导致经营活动现金流一般较差，面临一定的资金周转压力。如果业务规模快速增长或下游客户货款结算不及时，公司营运资金的周转压力将变大，可能会对公司经营活动现金流量产生不利影响。

　　公司属于集成电路设计和集成电路制造行业，属于技术密集型、资金密集型企业，具有产品更新换代快等特点，产品结构、收入、毛利率受下游市场需求、产品先进性等多种因素影响。

　　公司有源相控阵T/R组件产品的下游客户为各研究院所或整机单位，射频集成电路产品主要用户为移动通信设备制造商，均受到宏观经济及最终市场需求变化的影响。近年来，国家对集成电路产业政策的支持为公司带来了良好的发展机遇，但若发生集成电路的产业政策发生重大不利变化、宏观经济发生剧烈波动等情况将会对公司下游需求，公司的销量、毛利率、经营业绩将因此受到影响。

　　自2018年8月，美国商务部陆续将中国的高科技企业列入“实体清单”，并进一步加强对我国集成电路企业的限制，国博电子亦在“实体清单”之列。该事项对公司采购美国生产原材料、采购或使用含有美国技术的知识产权和工具等产生一定限制。鉴于国际形势的持续变化和不可预测性，“实体清单”影响的长期持续性或公司受到进一步的技术限制措施可能会对公司的日常经营带来负面影响。

　　公司于2021年11月通过江苏省高新技术企业复审，国微电子于2023年11月通过江苏省高新技术企业认定，本报告期均可享受15%的企业所得税优惠税率。上述税收优惠政策对公司的发展、经营业绩起到促进作用。但是未来如果国家相关税收优惠政策发生变化，或未完成复审，将无法继续享受上述优惠政策，将会对公司经营业绩产生不利影响。

　　公司自设立以来，经营规模不断扩大，资产规模和员工数量也迅速扩张。随着募集资金投资项目的实施，公司的资产规模及员工数量将进一步扩大，公司在资源整合、人员管理、技术开发等方面将面临更大的挑战。如果公司经营团队的决策水平、人才队伍的管理能力和组织结构的完善程度不能适应经营规模的扩张，将面临快速扩张可能带来的管理风险。

　　公司具有独立、完整的业务体系，能够独立进行经营决策，并且已经建立了包括《关联交易管理制度》在内的完整的内部控制制度，严格规定了重大关联交易的审批程序，保证关联交易定价公允和公司及股东利益，但如果公司内部控制措施不能有效执行，公司关联方有可能通过关联交易对公司及中小股东利益造成影响。

　　公司在生产过程中会产生废水、废气、固体废弃物等，如果公司的污染物排放不符合国家环保政策规定，将面临被国家有关部门处罚、责令关闭或停产的可能。此外，报告期内公司虽未发生重大安全事故，但不排除未来因设备老化、物品保管及操作不当、自然灾害等原因而造成意外安全事故的可能，从而影响公司生产经营的正常进行。

　　公司募集资金投资项目为射频芯片和组件产业化项目，募集资金投资项目可行性分析是基于公司的技术基础、当前市场环境以及对射频行业未来发展趋势的预测等因素做出的，公司对募集资金投资项目进行了充分的论证和分析。但募集资金投资项目需要一定的建设期和培育期，在此期间内可能会受到国家和产业政策变化、市场环境变化、研发和制造成本上升及其他不可预见因素的影响，使得项目的实际收益低于预期，直接影响公司业务规模及潜在业务收入，从而影响项目的投资回报和公司的预期收益。本次募集资金投资项目达产后，公司的折旧摊销费用也会有较大幅度增加。如果市场环境发生重大不利变化导致公司营业收入没有保持相应增长，则公司存在因固定资产折旧大幅增加导致的利润下滑风险。四、报告期内核心竞争力分析

　　国博电子坚持技术引领、创新驱动，立足自主创新，建立了高效的研发体制，组建了专业的研发团队，建立了以化合物半导体为核心的技术体系，产品覆盖芯片、模块、组件。

　　公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。在T/R组件领域，公司建立了设计平台、微波高密度互连工艺平台、全自动通用测试平台，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计等技术领域积累了关键核心技术；在射频集成电路领域，公司基于以化合物半导体为基础，掌握了非线性仿真设计、模拟电路设计与仿真、芯片可靠性分析与测试等核心技术，形成了射频芯片和模块、微波毫米波芯片等产品。

　　公司积极发挥创新主体作用，不断深化促进与产业链上下游企业、高校院所的技术创新合作，积极发挥射频集成与微组装技术工程实验室（国家地方联合工程中心）、高密度射频微系统集成工程技术研究中心的平台作用，促进国频电子产业链的技术协同发展。报告期内，公司研发投入1.80亿元，较上年同期增长了0.49%，占营业收入占比为13.81%。截至本报告期末，公司累计获得各类知识产权177项，其中发明专利55项，实用新型专利37项，软件著作权9项，集成电路设计布图专有权76项，保证了公司在技术创新方面的领先优势。

　　公司基于化合物半导体核心技术，公司形成了系列化的产品结构和产业化的生产能力，产品覆盖芯片、模块和组件，具备为有源相控阵雷达、移动通信基站和终端以及其他相关垂直应用提供成套解决方案的能力。

　　在有源相控阵T/R组件领域，公司持续专注高频高密度领域业务，产品主要集中于多通道、高频、高集成方向。公司现已研制了数百款有源相控阵T/R组件，具有体积小、重量轻、集成度高、性能优异等特点，多个有源相控阵T/R组件定型批产，工程化应用于各个领域。除有源相控阵雷达外，公司在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款T/R组件产品已开始交付客户。

　　在射频集成电路领域，公司主要产品包括射频放大类芯片、射频控制类芯片、大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站和终端等领域。公司射频集成电路及组件产品已经在国内4G、5G移动通信领域实现大批量供货，针对终端应用的开关、天线调谐器、DiFEM相关芯片产品被客户引入并批量交付。国博电子推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

　　国博电子设立以来获得了多项荣誉，积累了良好的品牌声誉。公司于2020年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2020行业信息化竞争力百强”和“2020行业信息化领军企业”；2020年获某主流移动通信设备供应商“供应商最佳交付奖”和“优秀质量协作奖”、2022年获某主流移动通信设备供应商“最佳协同奖”；2021年和2022年入选南京市“独角兽”企业，2023年获评为“江苏省优秀企业”，2024年获评“2023-2024年度射频芯片市场最佳产品奖”。

　　公司致力于有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域系列产品的研发、生产和销售，并形成了相关核心技术。依靠卓越的科研能力和优良的产品质量，国博电子的产品得到了市场的认可，同下游单位建立了良好的企业形象和合作关系，主要客户为各科研院所、整机单位和移动通信设备制造商。

　　公司的研发管理团队、生产管理团队、质量管理团队和市场销售团队具有丰富的集成电路行业相关经验，具备扎实的专业能力和丰富的管理经验。公司核心管理团队构成合理，涵盖经营管理、技术研发、市场营销、生产运营、质量控制、财务管理等各个方面，互补性强，保证了公司决策的科学性和有效性。

　　公司高度重视研发人才队伍建设，通过不断引进行业专家并持续培养内部人才，组建了涵盖电子、通信、计算机、化学、材料等跨学科的复合型团队。截至本报告期末，国博电子共有研发人员399名，较上年同期增加了103名，其中博士和硕士研究生增加了43名；研发人员占比22.48%，较上年同期提高了7.11个百分点。截至本报告期末，核心技术人员累计获得国家科学技术进步奖1项、国防技术发明奖1项、国防科学技术进步奖9项、中国电子学会科技进步奖3项和中国电子科技集团科学技术奖18项。

　　公司结合发展需要，开展多层次人才培训，持续推动全体员工提升职业素质、提高履职能力。公司以服务中心工作为出发点，以促进人才健康成长为目标，以提升人才能力素质为核心，结合实际工作需要，制定员工培训教育管理制度，大力加强和改进公司教育培训工作，全面提升教育培训质量，不断改进和加强公司人力资源教育培训工作，推进员工教育培训工作科学化、制度化、规范化，培养造就高素质的员工队伍。

　　国博电子深耕射频电子专业技术领域，形成了从芯片到模块、组件的产业链布局，具备了射频微波毫米波核心技术领域的自主知识产权。

　　公司以市场需求为导向，以核心产品为突破口，以优化性能、降低成本为动力，按照重点突破、平台支撑、体系推进的思路，推动T/R组件和射频集成电路产品设计、制造、测试验证能力体系成系统的发展。

　　公司加快推进射频芯片和组件产业化项目，进一步提升射频芯片、模块和T/R组件领域的研发能力和制造能力。实现T/R组件设计技术、工艺制造技术、测试、可靠性评估等能力提升，实现移动通信射频芯片和微波毫米波芯片设计研发、在片测试能力提升，提高自动化设备占比，提高产线的柔性化和智能化，提高产线规模、完善产品结构布局，满足日益增加的市场需求。

　　已有13家主力机构披露2024-06-30报告期持股数据，持仓量总计1.48亿股，占流通A股83.78%

　　近期的平均成本为37.83元。空头行情中，并且有加速下跌的趋势。该股资金方面呈流出状态，投资者请谨慎投资。该公司运营状况良好，多数机构认为该股长期投资价值较高。

　　限售解禁：解禁3.305亿股(预计值)，占总股本比例55.46%，股份类型：首发原股东限售股份。(本次数据根据公告推理而来，实际情况以上市公司公告为准)